当前位置:主页 > 硕博论文 > 工程博士论文 >

二元硫族热电材料的高通量计算和性能研究

发布时间:2022-01-08 13:51
  热电材料是可以实现热能与电能直接相互转换的功能材料,其在解决能源与环境问题方面具有广阔的应用前景。但是,由于现有的热电材料存在各种问题,比如热电转化效率普遍偏低、很多材料含有有毒或昂贵元素、体系结构热力学稳定性差等缺点,使其不能大规模商业化应用。二元硫族化合物是一类重要的功能材料,其中包括了多种高性能热电材料。然而由于理论计算热电性质的复杂性和实验制备热电材料的困难性,还有大量的二元硫族化合物的热电性质还没有被理论和实验所研究过。因此,在本论文中,我们致力于发展高效评估材料热电性能的方法,对所有二元硫族化合物的热电性能进行高通量计算,筛选得到新型高性能热电材料,并对高性能热电材料的物理机制进行诠释。主要研究内容如下:一、利用弹性性质高效评估非简谐效应强度和晶格热导率:晶格热导率(κl)计算的困难限制了高通量筛选高性能热电材料的研究。为了减小晶格热导率的计算量,基于非简谐效应强度(Gruneisen参数,γ)的定义,我们推导出了一种利用弹性性质高效计算Y和κl的新方法。对于39种化合物,该方法的计算结果与实验值相吻合,验证了该方法的合理性。该方法模型简单、计算方便、快速有效,可以用来高通... 

【文章来源】:中国科学技术大学安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章页数】:144 页

【学位级别】:博士

【部分图文】:

二元硫族热电材料的高通量计算和性能研究


图1.1?(a)和(b)分别为Seebeck效应和Peltier效应的示意图??

示意图,热电,器件,示意图


?第1章绪论???处的温度(TD高于B处的温度(T2),即TPT2,根据Seebeck效应,回路中Rl??两端将产生温差电动势,可以对供电,此时该器件为热电发电器件;而当器??件接通电源E时,在A处电流将从n型材料流向p型材料,根据Peltier效应,??器件将在A处吸热,此时该器件为热电制冷器件。利用该结构示意图,在忽略回??路中的接触电阻的条件下,热电器件的转换效率可以被简单地评估出来。??A?_??T?j??N?P?^??图1.2热电器件的结构示意图??研宄中,假设n型和p型半导体材料的电阻、热导、Seebeck系数和Peltier??系数分别为Rn和Rp、kn和kp、sN和sP、nN和nP。对于热电发电器件,其发??电效率(0)为器件产生的电能(W)与器件消耗的总热能(Q)之间的比值。在??器件接通负载Rl后(图1.2),当接触点A处的温度高于B处的温度时(TPT2),??根据Seebeck效应,回路中外接电阻(负载RD两端产生的温差电动势为??此时,回路中的电流为??j?_?(5p-5Af)(ri-r2)??Rp+Rn^-Rl??即器件的发电功率为??W?=?I2Rl?=?[fcMZWk)]2?R?(1.9)??在该回路中,除了流过外部负载的电流外,在热电器件内部也会产生大小为I的??电流。根据Peltier效应,器件在A处(内部电流的方向从n型材料流向p型材??料)会吸收一定的Peltier热,且单位时间内吸收的Peltier热为??Qp?=?nPW,?=?(np?—?nw)/?(i?i〇)??根据Kelvin关系,??Rpn?=?SpnT\?(I'll)??单位时间内器件在A

温度,器件,热电发电,热电


?第1章绪论???(a)?(b)u??r,=290l¥??0.04?.?■?■■?■?一-r?■?????????—?■ ̄ ̄—^?10??g?8??E?0?02????????2?e?X??令?,?J6?/????001?—7—--?-?4??/?7>27〇K??〇〇?°-??1?145?25?3?35?4?2??ZmTm??0.5?1?1.5?2?2.5?3?3.5?4??ZmTm??图1.3?(a)当高温热源温度为400?K,低温热源温度为360?K时,热电发电器件的最大发??电效率(也n?)随Ink的变化情况队(b)当高温端温度为300?K时,在不同低温端温度??下,热电制冷器件的最大制冷效率随无量纲热电优值(Z^Tm)的变化情况??从前面的讨论中可知,在n型和p型半导体材料共同构成的热电器件中,器??件的ZmTm越大,器件的效率越高。为了使器件的之7?值达到最大,根据2?1的定义,??可得,两种材料的总电阻与总热导的乘积[0^?+?^>)(仏+??/〇〇]应达到最小值。利用材料中电阻(/?)和热导(/〇与电阻率(p)、热导率??(k)、横截面积u)和长度a)之间的关系??/??=?pi,?K?=?k^?(1.29)??可得,可表不为??(i?N?+?RP)(KN?+?KP)?=?(j)N?^?+?Pp?{KN ̄jf'+?kp??=PnKn?+?ppKP?+?^;PpKN?+?T^;Pnkp?(1-30)??当(?+心)(心+心)最小时,令?义)].=〇,可以得到两种半导体材??O^LpAj^/Lf^Ap)??料应满足??InAp?=?fPP]W


本文编号:3576670

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/shoufeilunwen/gckjbs/3576670.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图

版权申明:资料由用户70a92***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱[email protected]