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基于半模基片集成波导的宽角扫描漏波天线

发布时间:2024-04-09 04:36
  针对传统的半模基片集成波导漏波天线存在开放边界处能量泄露以及无法进行连续波束扫描的问题,文章提出了一种带有折叠接地面的半模基片集成波导漏波天线。通过在波导表面周期性加载具有横向与纵向缝隙的辐射单元,抑制了侧向辐射的开放阻带效应,使得天线能够实现从后向至前向的连续波束扫描。该天线可在9~13 GHz的工作频段内实现-51~24°,总计75°的宽角度波束扫描,实际测量的增益范围在6.9~12.3 dBi之间。由于波导的开放边界处设置了金属化通孔阵列,使得天线增益明显提高。相比以往报道的同类型天线,文章提出的天线具有更大的波束扫描范围与扫描灵敏度,该天线可应用于无线通信和波束扫描雷达系统中。

【文章页数】:5 页

【部分图文】:

图13种HMSIW漏波天线的结构

图13种HMSIW漏波天线的结构

表1天线辐射单元参数参数值/mm初始HMSIW的宽度we5所有缝隙的宽度ws0.45纵向缝隙距离开放边界处的距离b3.4HMSIW开放边界与金属通孔阵列边界距离c1单元的周期长度p15两个横向缝隙间距dy1.8横向缝隙长度l12.6纵向缝隙....


图2辐射单元细节图

图2辐射单元细节图

图13种HMSIW漏波天线的结构图3加工的HMSIW漏波天线原型


图3加工的HMSIW漏波天线原型

图3加工的HMSIW漏波天线原型

图2辐射单元细节图1.2漏波天线辐射原理


图4天线辐射单元的二端口网络等效电路模型

图4天线辐射单元的二端口网络等效电路模型

OSB效应的产生是由于表面缝隙引入额外的阻抗与主传输线不一致引起的,消除OSB效应最直观的方法是使辐射单元阻抗与传输线匹配。对于图2中的天线辐射单元,其等效电路图如图4所示,两个横向缝隙可视为两个串联元件Zs,纵向缝隙等效为并联元件Yt,Z0为HMSIW的特征阻抗。对于图4中的辐....



本文编号:3949328

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