CCTO基复合电介质材料的组成-结构-性能关系研究

发布时间：2024-03-03 12:46

　　CaCu₃Ti₄O₁₂(CCTO)陶瓷具有巨介电常数,随着电子产品小型化的发展趋势,迫切需要高介电常数材料,这使得CCTO巨介电常数材料在小型电子元器件领域极具前景。但CCTO相对较高的介电损耗以及巨介电常数对工艺的敏感程度,成为限制CCTO实际应用的两大因素。因此,对CCTO陶瓷介电性能进行系统研究,以及CCTO陶瓷制备工艺的探索、开发及优化都将对其实际应用产生深远的影响。本文针对CCTO陶瓷研究现状,为了改善CCTO介电性能,使用固相法制备CCTO陶瓷,研究了CCTO电介质陶瓷材料复合、金属氧化物掺杂改性、以及引入添加剂对CCTO基陶瓷的结构,介电性能的影响。研究结果表明:(1)CCTO在1040℃温度下烧结,保温2h,室温到600℃,600℃至900℃,900℃至1040℃升温速率分别为4℃/min,3℃/min,2℃/min烧结后纯CCTO具有立方相钙钛矿结构,晶粒生长完善,尺寸较为均匀,几乎没有异常结晶情况的发生,致密性良好。(2)BNBT～CCTO体系复合产生了第二相,第二相极有可能为钛酸铜钡。金属氧化物掺杂...

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【学位级别】：硕士

【部分图文】：

图1.1MLCC结构示意图

辽宁科技大学硕士学位论文3要求。因此，为了适应电子产品的发展，MLCC要向小型化、大容量化，可靠性高等方向发展[2]。图1.1为MLCC结构示意图。MLCC是以电介质材料作为介质，将陶瓷粉体配置成浆料，使用流延法制成陶瓷介质薄膜，之后印刷内电极，交替重叠热压，形成多层电容器结构再....

图1.2CCTO晶体结结构示意图

1.绪论4介电常数，随着电子产品小型化的发展趋势，这就使得CCTO巨介电常数材料在小型电子元器件领域极具前景。1.2CCTO巨介电常数材料概述1.2.1CCTO的晶体结构ADeschanvres[19]等人在1969年首次对于CCTO的晶体结构进行研究，1979年，Bochu[2....

图2.1工艺流程图

辽宁科技大学硕士学位论文9图2.1工艺流程图Figure2.1Technicalflowchart2.3实验主要设备实验中主要使用的仪器设备及型号如表2.2所示。表2.2实验用设备仪器Table2.2Equipmentsusedintheexperiment2.3.1初坯压实行为....

图3.1CCTO的SEM图

辽宁科技大学硕士学位论文133.CCTO陶瓷的烧结及其表征3.1CCTO的显微结构初始原料t=1020℃t=1050℃t=1040℃图3.1CCTO的SEM图Figure3.1SEMmicrographsofCCTOceramic众所周知，CCTO在烧结时，对于烧结温度以及升温制....

本文编号：3917799