单层二硫化钼光学性质的第一性原理计算.doc 全文免费在线阅读

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单层二硫化钼光学性质的第一性原理计算杨志鹏,吴顺情,文玉华,朱梓忠*(厦门大学物理与机电工程学院,福建厦门 361005)摘要:采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了单层和体材料二硫化钼(MoS2)的电子能带结构及光学性质。在能带结构计算的基础上,计算了单层和体材料 MoS2 的介电函数虚部及实部,并导出了单层 MoS2 的能量损失谱、吸收系数、反射率、折射率和消光系数等。同时给出了体材料及单层 MoS2 介电函数图像中各峰值与对应的能带带间跃迁之间的关系。所得结果与实验结果及现有的理论结果相符合。关键词:二硫化钼;单层;光学性质;第一性原理计算中图分类号:O481 文献标志码:A 文章编号:二硫化钼(MoS2)作为典型的过渡金属层状二元化合物,其热稳定性和化学稳定性良好,被广泛应用于固体润滑剂[1-5]、电极材料[6-7]和反应催化剂[8-9]等广阔的领域。早在 1986年,就有人通过插入锂的方法成功剥离出单层 MoS2[10]。近些年来,通过溶剂[11]或裂解[12]的方法制备单层 MoS2 的方法也有报道。如今,作为典型的类石墨烯单层过渡金属化合物,单层 MoS2 凭借其优秀的光学和电学性质在辅助石墨烯甚至替代石墨烯上有着很好的前景,在晶体管制造[13]和电子探针的应用[14]等方面也受到人们的关注... 内容来自转载请标明出处.

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