AlN-MOCVD生长中气相寄生反应路径
发布时间：2023-05-26 22:58
利用量子化学的密度泛函理论,研究用于制备紫外光电器件的AlN薄膜在MOCVD生长中的气相寄生反应,计算与气相纳米粒子相关的3种主要多聚物[DMAlNH2]2,[MMAlNH]2,[MMAlNH]3与NH3的反应路径.通过对比不同温度下反应前后的吉布斯自由能差ΔG以及过渡态的活化自由能ΔG*,判断反应发生的方向和概率.结果表明:[DMAlNH2]2存在2条竞争路径,当T<749 K时,反应走[DMAlNH2]2与NH3的双分子反应路径,产物为[Al(NH2)3]2;当T>749 K时,反应趋向于活化自由能更低的、脱去CH4生成[MMAlNH]2的分子内反应路径.[MMAlNH]2,[MMAlNH]3...
【文章页数】：6 页
【文章目录】：
1 计算模型和验证
2 结果与讨论
2.1 [DMAlNH2]2与NH3的反应
2.2 [MMAlNH]2与NH3的反应
2.3 [MMAlNH]3与NH3的反应
3 结 论
本文编号：3823425
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1 计算模型和验证
2 结果与讨论
2.1 [DMAlNH2]2与NH3的反应
2.2 [MMAlNH]2与NH3的反应
2.3 [MMAlNH]3与NH3的反应
3 结 论
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